En la reciente Foro Samsung Foundry 2023 de Europa, el gigante asiático dio a conocer sus aplicativos y soluciones para procesos de automotrices que van desde los 2nm hasta el proceso legado de 8 pulgadas.
Dr. Siyoung Choi, presidente y director de Foundry Business de Samsung Electronics, enfatizó sobre la innovación debe satisfacer las necesidades de sus clientes en el área de automoción:
Samsung Foundry está impulsando la innovación en soluciones de próxima generación para construir una cartera ampliada que satisfaga las crecientes necesidades de nuestros clientes del sector de la automoción, especialmente a medida que la era de los vehículos eléctricos se hace realidad.
Además, agrega que:
...[] Estamos reforzando nuestra preparación para ofrecer a los clientes un servicio distinguido a través de una variedad de soluciones, incluyendo semiconductores de potencia, microcontroladores y chips avanzados de IA para la conducción autónoma.
La eMRAM de 5nm para 2027
Entre los anuncios más relevantes por parte de la firma coreana, son las nuevas aplicaciones en el área automotriz, basados en la próximo desarrollado de la nueva eMRAM de 5nm.
eMRAM es un semiconductor especial capaz de soportar altas temperaturas que genera el motor del vehículo. Además, posee altas velocidades de lectura y escritura. Cuando fue lanzada en 2019 basada en FD-SOI (de 28nm), ya era capaz de ser casi mil veces más rápida que una tipo eFlash.
El transistor FD-SOI actúa como amplificador e interruptor, y consta con una tecnología de proceso planar que incorpora un recubrimiento impermeable de dióxido de silicio (SiO2), sobre la oblea de silicio, que permite reducir las fugas.
Samsung ha estado trabajando en una de 14nm bajo el proceso FinFET basado en AEC-Q1000 grado 1 (ver video). La frecuencia de lanzamiento al mercado de las eMRAM sería la siguiente:
- eMRAM de 14nm para 2024
- eMRAM de 8nm para 2026
- eMRAM de 5nm para 2027
En particular, la versión de 8nm permitiría concentrar un 30% más transistores, y sería un 33% más rápida que la de 14nm.
Crecimiento en la cartera de procesos BCD
Samsung indicó que está dispuesta a ampliar sus procesos BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) de 8 pulgadas. Este proceso está diseñado para reducir la pérdida de potencia de los dispositivos, esto conlleva que se mejore su eficiencia al reducir el calor y aumentar su vida útil.
Se espera que para 2025 el proceso BCD actual de 130nm también permite uno de 90nm. Este cambio permitiría reducir el tamaño del chip en un 20%.
Samsung Foundry plantean implementar la tecnología Deep Trench Isolation (DTI), que reduce la distancia entre los transistores (de un chip), esto permitiría aumentar el voltaje de 70 a 120V. Con esto se espera proporcionar un kit que permitan los 120V al proceso BCD de 130nm para 2025.
¿Qué te parecen los anuncios de Samsung Foundry?
